方位面とキャリアの移動度 [半導体材料]
集積回路用のシリコンウェーハの方位面は(100)のものが多く用いられます。これは電子の移動度が(100)面で最も高くなるためです。
— ヒサン@電子材料勉強中 (@Hisan_twi) 2016年2月15日
参考:https://t.co/mBAWlDebNk
電子の移動度は(100)面が高いのですが、ホールの移動度は(110)面の方が高くなります。このことから、n-MOSFETには(100)面を、p-MOSFETには(110)面を用いるとそれぞれ最も性能の良いMOSFETを作ることができることがわかります。
— ヒサン@電子材料勉強中 (@Hisan_twi) 2016年2月15日
CMOSの集積回路ではp-MOSFETとn-MOSFETが一対で一つの要素になるため、単一の基板にpn両方のMOSFETを作ることになり、普通は(100)面を用いるのでホールの移動度で集積回路の性能が決まります。
— ヒサン@電子材料勉強中 (@Hisan_twi) 2016年2月15日
CMOSのキャリア移動度の問題を解決する手段として、東芝とIBMは(100)面と(110)面のシリコンウェーハを張り合わせて作製したDSB基板を用いる技術を開発しました。
— ヒサン@電子材料勉強中 (@Hisan_twi) 2016年2月15日
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